AlInN/AlN HEMT’in Detaylı Optik Özellikleri
نویسندگان
چکیده
In this study, the optical properties of AlInN/AlN high electron mobility transistor (HEMT) structure, grown on c-oriented sapphire with Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) technique, being investigated. Optical characterization is made Kubelka- Munk method. Transmittance, absorbance, and reflectance are investigated in detail. Also, Kubelka-Munk theory employed to determine forbidden energy band gap InN by using special functions. The obtained method was compared.
منابع مشابه
Veri Madenciliğinde Özellik Seçim Tekniklerinin Bankacılık Verisine Uygulanması Üzerine Araştırma ve Karşılaştırmalı Uygulama
Özet. Günümüzde pek çok kurum mevcut verilerini ilişkisel veri tabanlarında saklamakta ve modellemelerini bu verileri kullanarak gerçekleştirmektedir. Kurumsal veri modellerinin karmaşıklığı, veriye ait özelliklerin çokluğu ve veri miktarının fazlalığı, veri üzerinde her türlü analizin (kümeleme, regresyon, vb.) yapılmasını zorlaştırmaktadır. Bu nedenle veri kümeleri üzerinde tahmin gücü yüksek...
متن کاملGaAs Komponenten der Integrierten Optik für die externe Modulation in optischen Kommunikationssystemen
The improvements of the optical single-mode fiber and the progress in semiconduetor technology, especially in the domain of diode lasers with emission wavelengths in the near IR (1.3/rni 1.6um) allow for the rapidly growing data transmission rates in optical communication Systems. High demands are made on the transmitters, the reeeivers and the transmitting media at data rates of several Gbit/s...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Karadeniz fen bilimleri dergisi
سال: 2022
ISSN: ['1309-4726', '2564-7377']
DOI: https://doi.org/10.31466/kfbd.954421